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800V高压直流（HVDC）供电架构的器件瓶颈已被突破，台达、ST、Power Integrations、英诺赛科等八家厂商在OCP 2025同台展示可量产方案，GaN器件在1250V高压段实现性能超越SiC，推动AI数据中心供电系统从54V向800V升级；当前核心争议转向电压制式（800V vs ±400V）及国产器件在高压SiC领域的差距。
AI数据中心爆发式增长正驱动功率半导体市场扩张，800V高压直流（HVDC）供电架构成为核心变革方向，带动碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）器件需求激增，固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）、垂直供电（VPD）及DrMOS等关键技术加速落地，全球功率半导体市场规模预计2030年达433亿美元，其中AI数据中心贡献超106亿美元。
